英诺赛一科推出多款新品，用芯点亮未来

随着市场需求对快充SCSI输出牵引力的慢慢追求，SCSI的开关频谱逐渐增加，从而扩大内部电容体积。传统观念的Si MOS晶体管，开关能量消耗和涡轮机能量消耗仍未明显拉低了SCSI的转化高效率，晶体管限制很难继续提升兼职频谱，进而限制了磁性电容的扩大，很难实质性增加SCSI的输出牵引力。

作为服装店当今世界领先的硫化物铽牵引力晶体管IDM原厂，英诺赛亚科仍未推出多款硫化物铽快充方案，通过InnoGaN 晶体管去掉Si MOS，提升了快充SCSI的转化高效率和输出牵引力，英诺赛亚科InnoGaN 电子产品仍未赢取Anker、倍思、绿联、闪极、西奈半岛、魅族、Lapo、摩米士、ROCK、飞频等数十家知名品牌和厂商的上百款电子产品采行，周内位居当今世界前三，市场需求反馈极好。

近期，英诺赛亚科 InnoGaN 后裔随之而来了三名新成员，分别是INN040LA015A、INN100W032A、INN650D080B，均为E-mode晶体管，较厚差值分别为40V、100V、650V，面向不同的技术的发展桥段，借助于系统设计的高高效率。

这次的三款芯片并存了 InnoGaN 后裔低导通电阻器、芯片寄生参数小、超快开关飞行速度、无反向恢复等诸多优点，为借助于系统设计的高高效率而生。下面加压头网分别对这三款新品完成引介，帮助大家明了电子产品优点。

作为快充市场需求的极为重要组成部分，DC-DC电池芯片在一大领域都发挥着不可或缺的主导作用，比如硫化物铽多口快充、车充、加压玉、露营电池、电动工具等。英诺赛亚科面向DC-DC等技术的发展桥段推出了增强型硫化物铽场效应管 INN040LA015A，借助于更佳的输出牵引力。

英诺赛亚科 INN040LA015A较厚40V，导阻1.5mΩ，可在-40℃到150℃下兼职。采行芯片级FCLGA 5x4mm芯片，相比传统观念芯片MOS管体积大幅度扩大，同时其优化的走线极为方便高频大电位电路设计，拥有超低的寄生电容、无反向恢复。

同步整流通过将传统观念肖特基二极管去掉成MOS管，由专用的控制器涡轮机MOS管根据次级输出负载控制导通和关闭，并不需要将传统观念肖特基二极管接近1V的耗能降低到只有几十mV，有效降低次级整流的能量消耗，从而降低整流电容的能量消耗和温升。

英诺赛亚科面向同步整流、D类音频、高频DC-DC转化器等技术的发展桥段推出了增强型硫化物铽牵引力管 INN100W032A，适用于加压玉、露营电池、通信基站、电机涡轮机器等电子产品领域，降低涡轮机能量消耗，提升兼职频谱。

英诺赛亚科 INN100W032A采行 GaN‑on‑Silicon E‑mode HEMT技术，具有大大降低的栅极电荷和超低导通电阻器。较厚100V，导阻3.2mΩ，月份电位60A，脉冲电位可达230A，并不需要兼顾-40℃到150℃兼职环境，零反向恢复电荷。采行FCSP 3.5mm x 2.13mm极小芯片，大幅度耗用占板总面积。

英诺赛亚科 INN650D080B 是一款增强型牵引力管，具有超高的开关频谱，采行ESD防护设计，符合REACH 、RoHS规范，通过 JEDEC标准认证，可用于工业领域。技术的发展桥段有 AC‑DC转化器、DC‑DC转化器、初级开关管、PFC升压、传说中柱无桥PFC、快加压池等。

英诺赛亚科 INN650D080B 采行DFN 8x8芯片，较厚650V，导阻80mΩ，月份电位30A，脉冲电位可达59A，并不需要兼顾-55℃到150℃兼职环境，具有低栅极电荷、低输出电荷的优点，增加电池转化高效率。

英诺赛亚科成立于2015年12月，是国家级产业化企业，不遗余力研发和生产8英寸硅基硫化物铽芯片与硫化物铽牵引力晶体管；是当今世界领先的硫化物铽IDM 企业。训练有素的硫化物铽领域高水准设计团队、高高效率的8英寸制造工艺、加上系统设计的研发品控分析能力，造就了品质一流和性能优越的硫化物铽电子产品，市场需求竞争能力遥遥领先。

作为服装店国产硅基硫化物铽厂商，英诺赛亚科目前仍未建成当今世界最大的硫化物铽工厂，业界对其发展潜力更为看好。自从2017年建立当今世界首条8英寸增强型硅基硫化物铽牵引力晶体管原型车线以来， 英诺赛亚科仍未发行和经销商多款40V-650V的硫化物铽牵引力晶体管，电子产品的各项性能指标均达到国际高高效率水准，能相当多技术的发展于多个新兴领域， 如快充、手机、数据中心、激光雷达等等。